传上海微电子研发出11nm光刻机，请问是真的吗？有谁知道？
让你失望了，上海微电孑没有研制出11纳米的光刻机。但是，再告诉你一个好消息，明年，上海微电子将研制出28纳米的光刻机，经过多次光刻后，能精确到11纳米。再告诉你个更大的好消息，我们国家的实验室里巳经研制成功了9纳米光刻机，虽然，工厂化量产还得多年以后。相信.，上海微电子所一定会不辱使命，在光刻机领域大展伸手，舞出明天中国光刻机的一片希望之所。
传上海微电子研发出11nm光刻机，请问是真的吗？有谁知道？据传上海微电子明年将交付可以28nm制程工艺的光刻机，经过多重曝光可以制造11nm芯片。不过这个消息上海微电子的官方消息并没有披露或回应，还没有实锤，是否真是如此还显得扑朔迷离。
国内光刻机研发进度相对比较缓慢，但因为美国对我国科技的极端打压、以及特别是国外对我国高科技技术及产品的禁运，现在可以制造低纳米的高端光刻机显得又紧迫又非常有必要。上海微电子经过18年的发展历程，在低端光刻机市场拥有不小的份额，但在中高端光刻机市场还没有冲击力，目前还仅限于90nm级制程工艺。
国外ASML的EUV光刻机可以达到13.5nm的波长，可以达到7nm制程工艺的芯片制造，经过如台积电这样的厂家制造工艺技术的研发，甚至可以达到制造5nm的芯片。而相对来说，上海微电子的距离还相当远。
明年是否能够实现28nm制程工艺的光刻机，恐怕也是外界对于上海微电子的期许，也是上海微电子自身的需要，毕竟90nm级已经出来了十多年了，还几乎停止不前也有些不太合理。据传，28nm节点的光刻机是十三五规划项目，研发单位已经由中科院光电所研发解决光源、清华团队研发双工件台、浙大团队研发浸液系统、还有长春光机所研发透镜及曝光系统等，由不同的零部件制造厂家生产，这为上海微电子加速了28nm浸没式光刻机的出世。
额，其实稍微思考一下，就会知道这个消息是***的。
首先传这个消息的人并不一定是造谣，因为上海微电子确实公开表示过，预计在今年12月有望下降首台***用ArF光源的可生产11nm的SSA800/10W光刻机，2021年才可以制造出28nm的光刻机。
但是有几点需要我们注意：第一，上海微电子的原话是“有望”，并不是“一定”，这两者之间的差距还是挺大的，并不能说年底上海微电就一定能拿出成品来；第二，光刻机也不是一个模子里刻出来的，每一代和每一代的有不小的差距，主要由光源决定。我们熟知的ASML极紫外EUV光刻机属于第五代，是世界上最先进光刻机，制程分布在22nm-7nm之间。
而上海微电所说的是第四代光刻机，***用的是Arf光源，其制程分布在45nm-22nm。除非上海微电发现了什么不为人知的黑科技，想要在今年做出第五代EUV光刻机纯属天方夜谭。
目前，上海微电能够生产90nm的光刻机，可能有朋友表示现在台积电都实现5nm了，研究90nm制程有什么用？其实没必要这么悲观，因为并不是所有领域使用的芯片制程要求都很高，比如说军事用途方面，追求的是稳定，90nm制程的芯片完全可以满足。
很多人也许不知道，我国早在1***7年就自研了光刻机——JGK-3，可惜后来因为“买办”思想，没有坚持下去，外加后续的首钢失败，陈进***一系列***严重拖累了我国的芯片事业，现在我们和国外差了至少十年的差距。
但近几年来，国际形势越来越严峻，越来越多的人开始关注中国芯的发展，尤其是芯片制造方面。比如中芯国际，就在今年5月份获得了200亿美元的投资。还有题目中的上海微电，这几年的声音也很大。由上海微电子主导研发的首台国产11nm光刻机所***用的核心器件技术领域，依附在浙江大学研发团队的启尔机电推出了可用于最高11nm制程浸没式光刻机的浸液系统，在加上5nm蚀刻机和193nm光刻胶基本实现纯国产，这是非常了不起的成就。
