光刻机的未来是什么？
大家格局不要那么小。光刻机说到天上去也是工程界的项目。核心是超微波，即紫外线的工程应用。
华为创始人任正非也说，中国学术界不要总是揪住光刻机不放，他就是个末端工程化项目，中国学术界应该面向未来。
中国被掐脖子主要是政治原因，是反全球化的典型。而中国没有进行深度研发主要也是产业整合原因，自己搞整个产业是得不偿失的。而一旦逼中国搞起来，对于全球产业链都是打击。
我国官方已经放话，再不放开限制，中国三年就能突破。到时候a***l只能倒闭。
因此，封锁情况持续下去，中国自建突破光刻机产业只是时间问题。
我只说我知道的，前两年科学界就已经有共识了，现在以硅为材料的工艺已经接近极限了，也就是说不管未来光刻机有多麽厉害，如果没有材料一切都是白搭，所以现在牛气的公司都在寻找下一代材料，就比如石墨烯，而未来新一代的材料到底是什么，现在还不好回答，***如说未来出来了一种颠覆性的材料的话，可能会有相应的技术出来来处理这种材料，那么就对A***L是一个巨大的颠覆，否则在这个领域想要干掉A***L只会越来越难。
碳基芯片、量子芯片、生物芯片、光子芯片等不同类型的芯片研发进展被人们寄予厚望，也对光刻机的未来有所思考。
类似荷兰A***L世界顶尖的EUV光刻机，未来是否还能在硅晶芯片市场“独领***”、还是隔日黄花变成一堆“废铁”？目前的科学技术条件用现实告诉我们：顶尖的光刻机未来仍将长时间“绽放异彩”。
硅晶所以被人们优先选择作为制程芯片材料、並被大规模应用，是因为硅能通过各种气态化合物来合成性能稳定、介电常数优秀的氧化物和氮化物，而且来源广泛丰富、是仅次于氧的第二丰富的元素。从石英沙(氧化硅)中即能以较低成本提纯硅晶圆。
而研发碳基材料芯片、内部晶体管的栅极是比硅更优秀的碳材料，具有密度低、纯度高、功耗低等优点。作为下一代半导体芯片材料，如能研发成功是最为理想的。
但碳基半导体芯片用的是碳纳米管或石墨烯，制备过程与硅晶体制程有本质区别。
现在研发使用的化学技术方法，是把单个的碳纳米管放入硅晶片上的线道内。离开光刻技术、最多只能设置几百个晶体管，相比顶端光刻机在硅晶芯片上放置几十亿、上百亿个晶体管，显然有欠缺、更无法投入商业化量产。
由此，在新的科技研发和材料选中之前、硅晶还是制程芯片的最佳材料，顶尖光刻机仍大有“用武之地”。
光刻机是制造硅基芯片的核心工具。A***L现在已经一家独大，尤其是高端的EUV极紫外光刻机，全球只有A***L有，如果要想干掉A***L，估计芯片行业将发生重大变革。主要可能有三种情况可能会干掉A***L。
硅基芯片现在已经发展到5nm成熟工艺，台积电和三星都在研究3nm、2nm工艺。到这个级别基本也就快到头了。1纳米也就只能排3~5个原子，2纳米也就6-10个原子。到这个级别，FinFET工艺下，无论是鳍片距离、短沟道效应、还是漏电和材料极限也使得晶体管制造变得非常困难，甚至物理结构都无法完成。而这个时候，A***L的EUV光刻机无论技术多么先进，对硅基芯片也没有提升作用了。既然硅基芯片会到尽头，那么创新芯片就有可能被研制出来。比如：目前业界一直在研究的几个方向：
①、碳基芯片
现在很多国家都在研制碳基芯片，我国北京大学教授彭练矛和张志勇教授就带领团队在这方面取得了突破性进展。但制造原理和硅基芯片有很大不同，是使用碳纳米管来制备。而制造碳纳米管主要***用电弧放电法、激光烧蚀法、化学气相沉积法(碳氢气体热解法)、固相热解法、辉光放电法、气体燃烧法以及聚合反应合成法等。这里应该不需要用到光刻机。
②、光子芯片
这类芯片的计算速度是电子芯片的1000倍，目前我国已经有清华、北大、北交大多所高校的博士生组成高德团队在研究。而目前实验室的光子芯片基本上还是以目前CMOS制造工艺为基础。虽然还是需要光刻机，但日本尼康的光刻机也能完成。这对A***L是有挑战的。
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