上海微电子的90纳米光刻机已经通过了验收，现在在哪个公司有实际应用？
2018年3月通过正式验收是真的，2022年9月上海发布的实现突破也是真的，上海微电子的90纳米光刻机怎么可能“现在”就在哪个公司有实际应用？
应该是一直都没在任何一家公司实际应用。有人说国产光刻机的实际进展保密，的确觉得公开得有限，反正，怎么也没查到关于哪个公司有实际应用国产前道90纳米光刻机的报道材料，只有关于用于封装的后道光刻机的，大家都说这是上海微电子的主打产品，在国内市场占有80%的份额，早就在全球占据先进的位置，显然，实际应用的公司不是哪个，而是哪些，足够多，表明、证实了这才是国内独此一家光刻机总装厂的主要实力和优势？肯定是。作为中企的鼎泰匠芯购进了荷兰ASML产的低端光刻机，就是发生在“现在”的事，应该是进一步证明了直到现在，国产前道光刻机连我们国内的芯片制造公司都没购进，更不用说被实际应用了。
通过验收距离实际应用还挺远。这样的事不止发生在光刻机上，哪个科技领域都是如此，常识。上海微电子90纳米光刻机也是低端的前道光刻机，在通过验收的第五个年头才实现突破，无非是因为在验收后又发现了还有没完全解决甚至根本就没有解决的技术问题，而且是关键性甚至核心性的，因此而知道了还不能投入实际应用，你可以说这样的进展实在是不太快，但不可以说不正常，彻底攻克关键核心技术本来就最费时间，何况，即使是最低端的光刻机，本身也是很难造的，更何况中国企业根本就买不来国外的技术。而在今年终于实现了突破，就是解决了后来又发现的技术问题，至此，应该是关键核心技术全部攻克了，到了实际应用完全没问题的程度，可以进入批量生产阶段，这就意味着上海微电子/我们国内真正地彻底解决了“有”光刻机这个问题，大好事！再接下来，就只剩下哪个、哪些公司能买的问题了，如果和荷兰ASML的90纳米光刻机一样好用，就会有公司买！
这玩意儿他就从来没通过验收，因为是SMEE用了一大堆老欧洲的技术和零部件做出来的东西。
根本就没人会用这台子，可能ICRD会搞一套过来试试。不过大概率也就扔在一边吃灰了。
现在大家说的是国产化的机台，也就是网传的28nm光刻机。
这玩意儿才是实打实的国产化光刻机，毕竟双工台、光源、物镜、浸没头基本上全部国产化了。
并没有所谓的90纳米光刻机一说。包括什么28纳米光刻机。90纳米，28纳米是指芯片的加工工艺制程，并不是光刻机参数。
现在能生产先进制程芯片的主要是DUV和EUV浸入式光刻机。传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸入式技术是将空气介质换成液体。因为光通过液体介质折射后光源波长会缩短，这样就可提高分辨率， 浸入式技术是华人林本坚发明的。传统的干式光刻机在提高芯片制程的过程中困难重重，ASML抓住机会最先***用林本坚的浸入式技术生产光刻机，最终成就了最大赢家。
DUV光刻机的光源是深紫外线（Deep Ultr***iolet Lithography），使用193nm的ArF光源，由于是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体，193nm的光经过折射后，等效波长为134nm。可用于制造7nm-130nm制程的芯片。
EUV光刻机的光源是极深紫外线（Extreme Ultr***iolet Lithography）, DUV和EUV最大的区别在光源模块。EUV的光源波长为13.5nm，DUV的光源波为193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。随着先进制程向7nm及以下先进制程推进，EUV光刻机就成了必备需求。EUV光刻机是未来光刻技术和先进制程的核心。
90nm，28nm是芯片的工艺制程，实际上就是指组成芯片的场效应管的栅极导电沟道的宽度。芯片是集成电路的俗称，它由几十到几亿个场效应管集成的。每一个场效应管构成一个最基本的门电路，栅极相当于闸门，控制源极，漏极的通断。在栅极和源极之间施加电压就会改变源极和漏极之间的阻抗，从而控制源极和漏极之间的电流。芯片中的场效应管就相当于高频开关，而控制开关的开启，关断就需要消耗能量。 而为了降低芯片功耗，就必须降低导电沟道宽度，以减小电子流过产生的热量。所谓90nm，28nm，14nm，7nm就是导电沟道宽度，也就是芯片中场效应管的栅极宽度。
生产90nm的芯片与光刻机的光源，光刻胶，制造工艺都有关。并不单单是光刻机的关系。
