上海微电子已经成功生产光刻机了么？这个领域国内是什么水平？
谢谢邀请，上海微电子生产出国产第一台光刻机已经是十几年前的事了，只是因为美国限制我们国家的大规模集成电路（高端芯片）的发展和荷兰ASML的最先进光刻机对我们不开放及华为的成长受阻等各种因素发酵，把我们国家先进光刻机的问题推上了风口浪尖。
其实不仅是先进的光刻机（极紫外），我们国家因为工业化比较晚，所有现代工业技术基本都落后西方（美国德国法国英国日本），光刻机只是典型代表。
但现代工业技术也不是高不可攀，就是钱的事，随着我国经济的发展，钱已经不是什么问题，所以我们在很多行业已经取得了突破，如高铁技术.5G技术.航天技术，超算技术.云计算技术.AI技术.盾构机.而且海上挖泥船还禁止出口，所以我们的光刻机技术也不会差太多，可能在可靠性上需要时间去优化，因为市场的巨大吸引力，尖端光刻机应该很快投入市场。
说到光刻机，那就是国人的痛处，毕竟被卡脖子的感觉真的太难受了，其实我们在半导体领域被卡脖子的不只是光刻机，半导体产业链里面，我们能够自主掌握技术的不到一半，还有一半要靠外国的先进设备和技术做支撑，认为只要突破光刻机技术就能不受到卡脖子，那其实就有点想的太简单了。
光刻机的确是非常重要的环节，曾经在六十年代的时候，我们的光刻机水平其实并不比欧美的差，在六十年代的时候，我们的机械领域其实也并没有说落后太明显，只是在特殊的十年当中，导致了我们落后，这还只是开始，在八十年代的时候，由于西方先进产品进入国内市场的影响，又导致了我们在八九十年代错过了机会。
这样总共失去三十年的时间，就是因为这样才导致了中间的空白期没办法弥补，就算我们后面这二十年的时间在发力，但是也很难真正的短时间内赶上，毕竟别人也并没有在原地踏步，我们在进步别人也一样在前进，中间还存在着代差，加上原本工业基础的薄弱，才有了现在的这种情况。
目前市场上我们能够自行生产的光刻机精度只有90纳米级别，中芯国际升级的14纳米技术其实并不是我们自己生产的设备，这个就很尴尬了，虽然说上海微电跟科学院联合研发出来了28纳米的光刻机技术，但是这个目前来说也只是在实验室里面的数据，离组装到现实中使用，还不知道要到什么时候。
全球半导体前道光刻机长期由ASML、佳能、尼康三家公司所垄断，三家公司占据了99%的市场份额。ASML市场份额常年高达60%以上，呈现霸主垄断地位，ASML已经完全地垄断了超高端光刻机领域，而佳能则完全退出高端市场，凭借价格优势盘踞在中低端市场。
上海微电子（SMEE）成立于2002年，其主产品SSX600系列步进扫描投影光刻机满足90nm、110nm、280nm芯片前道光刻工艺的要求，可以用于8英尺、12英尺大规模工业生产。毫无疑问上海微电子早已经能够生产光刻机，相比较于1984年4月成立的ASML，上海微电子疑问是芯片制造光刻机领域的后起之秀，经过20余年的发展逐渐缩小了和光刻巨头之间的差距，上海微电子在全球后道封测光刻机领域高达40%的占有率。
光刻原理其实特别简单，就跟我们在沙滩上晒太阳一样，光线能直接照射到的地方皮肤就会呈现黝黑的颜色，而被遮挡的地方皮肤就会呈现白皙的颜色。早期的光刻机其实和照相机显影技术并无二致，所以也就能理解为什么做照相机的佳能和尼康为什么会闯入光刻机领域。
基于光刻机的原理很简单，早期的芯片工艺制程水平也并不高，所以我国大致是在1965年前后拥有光刻机。1445所在1***7年就研制成功了一台接触式光刻机GK-3。接触式光刻就是直接将掩膜直接贴到硅片上用灯光照射，这种工艺最难的地方在于要在底片上刻出1微米分辨率的线条，而光照并不是太大的难题。这么说想必大家要翘尾巴了，要知道西方在1***8年就已经推出了成熟的分布投影光刻机了。拜读过《朱煜：精密事业》就知道我们的半导体工业为什么会落后别人一大截，国情使然，这里就不再大篇幅陈述。
如今的半导体产业已经成为了一个全球性的巨大产业链条，我们已经完全有能力生产7nm甚至更低nm的芯片，关键在于我们的材料和设备受制于人，高端光刻设备对于光学技术和供应链要求极高，拥有极高的技术壁垒，是全球产业链整合出来的产品，比如ASML光刻机的光源来自美国、镜头来自德国、阀件来自法国，这些不是有钱就能买得到的，因为欧美国家对我们实施了技术封锁。
