上海微电子的90纳米光刻机已经通过了验收，现在在哪个公司有实际应用？
目前还没有看到90纳米前道光刻机有成功在生产线上运用的消息，去年（2021）市场有传言说一些芯片代工厂找上微买90纳米光刻机，上微推拒了，说没有产能。
也许是因为90纳米光刻机目前不受限制，国内工厂可以比较方便的***购，这也可能是上微没动力生产的原因，另一方面，90纳米光刻机可能还不能完全国产化或者性能相对进口产品没有优势，，，
无论怎么说，偌大的市场需求，正常点的企业肯定会拼尽全力去满足市场，扩大供应，但从上微的动作看，我们目前看不到这种市场企图心，，
虽然我不想悲观看上微，但目前这家公司并没有表现出任何让人乐观的经营成果。。
并没有所谓的90纳米光刻机一说。包括什么28纳米光刻机。90纳米，28纳米是指芯片的加工工艺制程，并不是光刻机参数。
现在能生产先进制程芯片的主要是DUV和EUV浸入式光刻机。传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸入式技术是将空气介质换成液体。因为光通过液体介质折射后光源波长会缩短，这样就可提高分辨率， 浸入式技术是华人林本坚发明的。传统的干式光刻机在提高芯片制程的过程中困难重重，ASML抓住机会最先***用林本坚的浸入式技术生产光刻机，最终成就了最大赢家。
DUV光刻机的光源是深紫外线（Deep Ultr***iolet Lithography），使用193nm的ArF光源，由于是将镜头和光刻胶之间的介质由空气改成液体，193nm的光经过折射后，等效波长为134nm。可用于制造7nm-130nm制程的芯片。
EUV光刻机的光源是极深紫外线（Extreme Ultr***iolet Lithography）, DUV和EUV最大的区别在光源模块。EUV的光源波长为13.5nm，DUV的光源波为193nm，较长的波长使DUV无法实现更高的分辨率，因此DUV只能用于制造7nm及以上制程的芯片。随着先进制程向7nm及以下先进制程推进，EUV光刻机就成了必备需求。EUV光刻机是未来光刻技术和先进制程的核心。
90nm，28nm是芯片的工艺制程，实际上就是指组成芯片的场效应管的栅极导电沟道的宽度。芯片是集成电路的俗称，它由几十到几亿个场效应管集成的。每一个场效应管构成一个最基本的门电路，栅极相当于闸门，控制源极，漏极的通断。在栅极和源极之间施加电压就会改变源极和漏极之间的阻抗，从而控制源极和漏极之间的电流。芯片中的场效应管就相当于高频开关，而控制开关的开启，关断就需要消耗能量。 而为了降低芯片功耗，就必须降低导电沟道宽度，以减小电子流过产生的热量。所谓90nm，28nm，14nm，7nm就是导电沟道宽度，也就是芯片中场效应管的栅极宽度。
生产90nm的芯片与光刻机的光源，光刻胶，制造工艺都有关。并不单单是光刻机的关系。
这玩意儿他就从来没通过验收，因为是SMEE用了一大堆老欧洲的技术和零部件做出来的东西。
根本就没人会用这台子，可能ICRD会搞一套过来试试。不过大概率也就扔在一边吃灰了。
现在大家说的是国产化的机台，也就是网传的28nm光刻机。
这玩意儿才是实打实的国产化光刻机，毕竟双工台、光源、物镜、浸没头基本上全部国产化了。
